半导体（IC）制造过程中。 质量流量控制器在精确的薄膜形成和蚀刻中都发挥着积极的作用。

在成膜中应用：成膜分为PVD和CVD两种方式，这里介绍CVD方式，CVD（化学气相沉积）是一种通过向硅晶片提供包含目标成分的气体（气相）并使其与等离子体或热发生化学反应而在硅晶片上沉积薄膜的方法。 这需要精确的气流控制。否则薄膜质量会发生变化，成品率也会变差。

在刻蚀中应用：半导体刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种，这里仅介绍干法刻蚀，干法刻蚀是一种将经过抗蚀剂、曝光和显影保护的晶片置于真空室中，用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的;另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。